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会社概要

会社名 日本ファインセラミックス株式会社
所在地 宮城県、仙台市
創業 1984年4月
資本金 3億円
売上金額 88億円
従業員数 460名

日本ファインセラミックス株式会社
公式ウェブサイト

-

会社特徴

素材

  • 内製素材
    - Al2O3(99.9%, 99.5%), Zirconia
  • 外注素材
    - AlN(170/200/230W/m・K), Quartz, 黒アルミナ etc.

技術

  • 高精細なパターニング (L/S=20µm/15µm)
  • サイドパターン
  • 薄膜抵抗
  • ステップ加工
  • Via (銅充填, スルーホールVIA, キャスタレーション)

製品

  • EML, PD, MPD キャリア
  • RFブリッジ
  • オプティカルベンチ

サブマウント特性表

Material Alumina
99.90%
Alumina
99.50%
Alumina
96%
AlN Alumina
(Black)
密度 [g/cm3] 3.9 3.9 3.8 3.3 3.7
曲げ強度 [MPa] 660 440 300 330 320
線膨張係数 [1/K] 25 ~ 800℃ 8×10-6 8×10-6 8×10-6 4.6×10-6 8.3×10-6
熱伝導率 [W/m・K] 25℃ 33 32 23 170/200/230 21
ヤング率 [GPa] 390 380 340 330 -
ポアソン比 [-] 0.25 0.25 0.23 0.24 -
比誘電率
(25℃) [-]
1MHz - - - 8.8 8.5
10GHz 10 9.8 9.6 - -
誘電正接
(25℃) [-]
1MHz - - 2×10-4 5.0×10-4 3.5×10-4
10GHz 1×10-4 1×10-4 - - -
体積固有抵抗 [Ω・cm] 1015 1015 1014 1012 1014
表面粗さ (Ra) [μm] 0.02 0.02 0.3 0.05 0.3
厚み [mm] 0.05 ~ 0.38 0.15 ~ 0.5 0.1 ~ 0.15 ~

対応可能技術の例

お客様のご設計に従った回路を基板上に作りご提供致します。

-

例) オプティカルベンチ 100G/400G

お客様の仕様に合わせた様々なバリエーションを提供できます。

-

新素材

SiN(窒化ケイ素)基板= 開発中 =

-

  • 熱膨張率
    - 2.5 x 10-6/K (RT ~400℃)
  • 曲げ強度
    - 700 MPa
  • 熱伝導率
    - 90 W/m・K
  • 破壊靭性
    - 6 MPa・m 1/2

開発技術

ステップ面へのパターニング

-

  • アドバンテージ
    - ジョイント工程を除く事によるコスト削減
    - シンプルなデザインが可能

開発品

ハイパワーレーザー向け銅厚サブマウント= 開発中 =

-

  • メタライズ構成
    - Ti(0.07µm)/Pd(0.12µm)/Cu(75µm)/Ni(0.5µm)/Au(1.5µm MIN)

ディスクリート半導体の特性は、モジュール内が発する熱により弱体化しますが、AlNとCuの組合せにより、放熱性向上し、半導体レーザーの寿命も改善。

高誘電体基板/単板コンデンサ

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