会社名 | 日本ファインセラミックス株式会社 |
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所在地 | 宮城県、仙台市 |
創業 | 1984年4月 |
資本金 | 3億円 |
売上金額 | 88億円 |
従業員数 | 460名 |
Material | Alumina 99.90% |
Alumina 99.50% |
Alumina 96% |
AlN | Alumina (Black) |
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密度 [g/cm3] | 3.9 | 3.9 | 3.8 | 3.3 | 3.7 | |
曲げ強度 [MPa] | 660 | 440 | 300 | 330 | 320 | |
線膨張係数 [1/K] | 25 ~ 800℃ | 8×10-6 | 8×10-6 | 8×10-6 | 4.6×10-6 | 8.3×10-6 |
熱伝導率 [W/m・K] | 25℃ | 33 | 32 | 23 | 170/200/230 | 21 |
ヤング率 [GPa] | 390 | 380 | 340 | 330 | - | |
ポアソン比 [-] | 0.25 | 0.25 | 0.23 | 0.24 | - | |
比誘電率 (25℃) [-] |
1MHz | - | - | - | 8.8 | 8.5 |
10GHz | 10 | 9.8 | 9.6 | - | - | |
誘電正接 (25℃) [-] |
1MHz | - | - | 2×10-4 | 5.0×10-4 | 3.5×10-4 |
10GHz | 1×10-4 | 1×10-4 | - | - | - | |
体積固有抵抗 [Ω・cm] | 1015 | 1015 | 1014 | 1012 | 1014 | |
表面粗さ (Ra) [μm] | 0.02 | 0.02 | 0.3 | 0.05 | 0.3 | |
厚み [mm] | 0.05 ~ 0.38 | 0.15 ~ | 0.5 | 0.1 ~ | 0.15 ~ |
お客様のご設計に従った回路を基板上に作りご提供致します。
お客様の仕様に合わせた様々なバリエーションを提供できます。
ディスクリート半導体の特性は、モジュール内が発する熱により弱体化しますが、AlNとCuの組合せにより、放熱性向上し、半導体レーザーの寿命も改善。