电源模块瞬态热电阻测量设备
特点
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BJT (Bipolar Junction Transistor)瞬态热电阻测量设备
本设备向晶体管的基极•发射极通入微电流，测量此时基极与发射极之间的电压。随后在集电极与发射极之间施加电源，提升结点温度。切断电源后再次向晶体管的基极•发射极通入微电流，测量基极与发射极之间的电压，计算出差值。 -
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）瞬态热电阻测量仪
与BJT瞬态热电阻测量仪在同一时间计算栅极与发射极之间电压差值的测量仪器。 -
P-MOS FET瞬态热电阻测量仪
与BJT瞬态热电阻测量仪在同一时间计算栅极与源极之间电压差值的测量仪器。 - 能够测量二极管的ΔVF
主要的设备规格
| Model No. | 2082B | 2083 | 2085 | 2086 |
|---|---|---|---|---|
| 测量条件 | VCB 2～199V IE 0.1～29.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100, 200mS 500, 1000mS |
VCB 2～599V IE 0.1～249.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
VCB 2～599V IE 0.1～500.0A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
VCB 2～99V IE 0.1～99.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2,5S,DC |
| 测量范围 | ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V ΔVGS 10mV～9.99V VGS (max) 20V |
ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
| 采样点 | Td 50～990µS | Td 50～990µS | Td 50～990µS | Td 50～990µS |
| 最大偏置条件 | ・PW 1mS时 VCB 199V IE 29.9A ・PW 1S时 VCB 20V IE 20.0A |
・PW 100µS时 VCB 599V IE 250A ・PW 2S时 VCB 20V IE 50A |
・PW 100µS时 VCB 599V IE 500A ・PW 2S时 VCB 20V IE 100A |
・PW 100µS时 VCB 99V IE 99.9A ・PW DC时 VCB 10V IE 50A |
| 样品极性 | Nch/Pch NPN/PNP |
NPN | NPN | NPN |
| 电源 | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC200V ±10% 50/60Hz 1Φ |
| 外形尺寸[mm] | W670 D750 H1400 |
W820 D1350 H1700 |
W820 D1350 H1700 |
W670 D750 H1400 |
| Model No. | 2087 | 2185 | 2186 |
|---|---|---|---|
| 测量条件 | VCB 2～1200V IE 0.1～999.9A IM 1～999mA 精度±1% PW 0.1～99.9mS 1～999mS 0.01～9.99S 0.1～99.9S 1～999S |
VCE 5～99V IE 1～399A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5, 10mS 20,50, 100,mS 200,500mS 1,2,5,10S |
VCE 10～1200V IE 0.1～99.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
| 测量范围 | ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
ΔVGE 5～1999mV VGE (max) 20V 精度±1% |
ΔVGE 10～999mV VGE (max) 20V 精度±1% |
| 采样点 | Td 50～990µS | Td 50～990µS | Td 50～990µS |
| 最大偏置条件 | ・PW 100µS时 VCB 1200V IE 1000A ・PW 2S时 VCB 20V IE 200A |
・PW 1mS时 VCE 99V IE 399A ・PW 2S时 VCE 20V IE 100A |
・PW 100µS时 VCE 1200V IE 99.9A ・PW 2S时 VCE 20V IE 50A |
| 样品极性 | NPN | Nch NPN |
Nch NPN |
| 电源 | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ |
AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ |
| 外形尺寸[mm] | W1600 D2000 H1600 |
W1520 D2100 H1750 |
W800 D1600 H2000 |
