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日立ハイテク
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微小デバイス特性評価装置 ナノ・プローバ® NP8000

微小デバイス特性評価装置 ナノ・プローバ® NP8000

5 nm以降の先端デバイス解析に対応した、SEMベースのナノ・プロービング専用機です。
電子光学系をはじめとした改良により、従来装置に比べより安定して電気特性測定およびEBAC解析を実施する事が可能であり、不良箇所をnmオーダーまで絞り込むことが可能です。

価格:お問い合わせください

取扱会社:株式会社 日立ハイテク

概要

  • 新型ショットキー電子銃による100 Vまでの低加速観察能力
  • 大照射電流によるEBAC像質の向上
  • 8探針対応
  • 温度依存特性評価用の高低温ステージ
  • 探針粗寄せ用の上・横CCDカメラ
  • 探針から独立して駆動できる試料サブ・ステージ
  • 専用探針交換室
  • EBAC(電子線吸収電流像測定)機能
  • DI-EBAC(電圧印加型EBAC機能)
  • パルス評価機能(特注対応)
5nmデバイスへのプロービング時のリアルタイムSEM像(加速電圧0.2 kV)
5nmデバイスへのプロービング時のリアルタイムSEM像(加速電圧0.2 kV)
プロービングのイメージ
プロービングのイメージ
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特徴

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プローバの位置制御やSEM観察をコントロール可能な集約されたGUI
プローブのアプローチをより確かにするTop view/Side viewを同時に表示

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SEM像とEBAC像を同時に表示
より迅速な欠陥箇所発見へのアプローチ

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ショットキー電子銃による大照射電流と、電子ビーム加熱抵抗変動検出法(Resistance Change by Electron Beam Heating)を応用し、改良された電圧印加EBACアンプにより、従来では難しかった低抵抗欠陥も可視化

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プローブアプローチ時の試料損傷低減に有効な低加速電圧観察能力
100 V/8万倍 (ライブ像)
試料:5 nm SRAM

仕様

項目 内容
プローブユニット ユニット数(探針数) 8
駆動方式 ピエゾ素子使用
微動範囲 5 µm(X、Y軸)
粗動範囲 3 mm(X軸)、5 mm(Y軸)
試料ステージ/
ベースステージ
試料サイズ 15 mm×15 mm、厚1 mm以下
移動ポジション

測定位置、試料交換位置、探針交換位置

試料交換/探針交換

予備排気室付き
プローバ プローブ位置へのステージ移動
ナビゲーション 測定位置記憶
探針粗調整 CCD像表示機能

横方向/上方向からの観察像表示

電子光学系 電子銃

ショットキー形電子銃

加速電圧 0.1~30 kV
イメージシフト

±75 µm以上(1.0 kV、WD=5 mm)

EBACアンプ/
画像表示
アンプ種

Currentアンプ/Differentialアンプ/DIアンプ

画像表示 SEM像/EBAC像
単独/並列/重ね合わせ表示
画像処理

白黒反転表示、カラー表示機能、明るさ調整、スロースキャン積算、ベルトスキャン

関連情報

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