マイクロ波ECR方式エッチングチャンバー
日立のコンダクターエッチングチャンバーは、処理圧力0.1Pa以下の高真空領域において、安定した高密度プラズマを生成することが可能なマイクロ波ECR方式を採用しています。
マイクロ波ECR方式はコイル磁場によるプラズマ分布制御や高さ制御をはじめとする豊富なパラメータにより広範囲なプロセスウィンドウを実現、さらにプラズマ制御技術をチャンバクリーニングに応用することで、安定した量産性能を提供します。
また、お客様のデバイスニーズに合わせた豊富なオプションもご用意しています。
特長
マイクロ波ECRの優位性
- 低圧プロセス
- 高アスペクトチャンバー
- プラズマ分布・高さ制御
加工性
- 同軸チャンバ構造
- 高速ウェハ温度制御
- 低異物/高真空対応チャンバ
- イオン・ラジカル制御
生産性
- スワップキット対応
- 高APC（Advanced Process Control）システム
主なアプリケーション
- STI形成（ハードマスク、Siトレンチ）
- ゲート形成（ハードマスク、PolySi、サイドウォール、High-k/メタルゲート）
- マルチパターニング形成
- コンタクト、配線形成（メタル除去、デュアルダマシントレンチ）