微小デバイス特性評価装置 ナノ・プローバ® NP8000
概要
- 新型ショットキー電子銃による100 Vまでの低加速観察能力
- 大照射電流によるEBAC像質の向上
- 8探針対応
- 温度依存特性評価用の高低温ステージ
- 探針粗寄せ用の上・横CCDカメラ
- 探針から独立して駆動できる試料サブ・ステージ
- 専用探針交換室
- EBAC（電子線吸収電流像測定）機能
- DI-EBAC（電圧印加型EBAC機能）
- パルス評価機能（特注対応）
特徴
プローバの位置制御やSEM観察をコントロール可能な集約されたGUI
プローブのアプローチをより確かにするTop view/Side viewを同時に表示
SEM像とEBAC像を同時に表示
より迅速な欠陥箇所発見へのアプローチ
ショットキー電子銃による大照射電流と、電子ビーム加熱抵抗変動検出法（Resistance Change by Electron Beam Heating）を応用し、改良された電圧印加EBACアンプにより、従来では難しかった低抵抗欠陥も可視化
プローブアプローチ時の試料損傷低減に有効な低加速電圧観察能力
100 V/8万倍 (ライブ像)
試料：5 nm SRAM
仕様
| 項目 | 内容 | |
|---|---|---|
| プローブユニット | ユニット数（探針数） | 8 |
| 駆動方式 | ピエゾ素子使用 | |
| 微動範囲 | 5 µm（X、Y軸） | |
| 粗動範囲 | 3 mm（X軸）、5 mm（Y軸） | |
| 試料ステージ/ ベースステージ |
試料サイズ | 15 mm×15 mm、厚1 mm以下 |
| 移動ポジション |
測定位置、試料交換位置、探針交換位置 |
|
試料交換/探針交換 |
予備排気室付き | |
| プローバ | プローブ位置へのステージ移動 | |
| ナビゲーション | 測定位置記憶 | |
| 探針粗調整 | CCD像表示機能 | 横方向/上方向からの観察像表示 |
| 電子光学系 | 電子銃 | ショットキー形電子銃 |
| 加速電圧 | 0.1～30 kV | |
| イメージシフト |
±75 µm以上（1.0 kV、WD＝5 mm） |
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| EBACアンプ/ 画像表示 |
アンプ種 | Currentアンプ/Differentialアンプ/DIアンプ |
| 画像表示 | SEM像/EBAC像 | |
| 単独/並列/重ね合わせ表示 | ||
| 画像処理 | 白黒反転表示、カラー表示機能、明るさ調整、スロースキャン積算、ベルトスキャン |
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関連情報
