미소디바이스 특성평가 장비 Nano Prober NP8000
![미소디바이스 특성평가 장비 Nano Prober NP8000](/kr/ko/media/np8000_main_tcm40-192398.png)
5nm 이후의 첨단 디바이스 해석을 지원하는 SEM 기반 Nano Probing 전용기입니다.
전자 광학계를 비롯한 개량에 의해 종래 장치에 비해 보다 안정적으로 전기 특성 측정 및 EBAC 해석을 실시하는 것이 가능하며, 불량 부분을 nm 오더까지 좁히는 것이 가능합니다.
개요
- 신형 Schottky 전자총에 의해 100V까지의 저가속 관찰 능력
- 대조사 전류에 의한 EBAC Image 질 향상
- 8탐침 대응
- 온도 의존 특성 평가용 고저온 Stage
- 탐침 Coarse 조정용 Top, Side view CCD 카메라
- 탐침으로부터 독립적으로 구동할 수 있는 시료 서브 Stage
- 전용 탐침 교환실
- EBAC(전자선 흡수 전류 Image 측정) 기능
- DI-EBAC(전압인가형 EBAC기능)
- 펄스 평가 기능(특주대응)
![5nm 디바이스에 Probing 시 실시간 SEM Image (가속전압 0.2kV)](/kr/ko/media/np8000_01_tcm40-192463.png)
![Probing Image](/kr/ko/media/np6800_02_tcm40-62219.png)
![-](/kr/ko/media/np6800_03_tcm40-62220.gif)
특징
![-](/kr/ko/media/np8000_02_tcm40-192469.png)
Prober의 위치 제어 및 SEM 관찰을 제어할 수 있는 집약된 GUI
Probe의 접근을 보다 확실하게 하는 Top view/Side view를 동시에 표시
![-](/kr/ko/media/np8000_03_tcm40-192470.png)
SEM Image와 EBAC Image를 동시에 표시
보다 신속한 결함 부분 발견 접근
![-](/kr/ko/media/np8000_04_tcm40-192471.png)
Schottky 전자총에 의한 대조사 전류와 개량된 전압 인가 EBAC 앰프로 기존에는 어려웠던 저저항 결함도 가시화
![-](/kr/ko/media/np8000_05_tcm40-192472.png)
Probe 접근시에 시료 손상 제어에 유효한 저가속 전압 관찰 능력
100 V/8만배 (Live Image)
시료: 5nm SRAM
사양
항목 | 내용 | |
---|---|---|
Probe Unit | Unit 개수 (탐침수) | 8 |
구동방식 | Piezo 소자 사용 | |
Fine stroke range | 5 µm (X, Y축) | |
Coarse stroke range | 3 mm (X축), 5 mm (Y축) | |
시료 Stage / Base Stage |
시료 크기 | 15 mm × 15 mm, 두께 1 mm이하 |
이동 포지션 |
측정 위치, 시료 교환 위치, 탐침 교환 위치 |
|
시료 교환 / |
예비 배기실 있음 | |
Prober Navigation | Probe 위치로 Stage 이동 | |
측정 위치 기억 | ||
탐침 rough 조정 | CCD Image 표시기능 | Side / Top 에서 관찰한 Image 표시 |
전자광학계 | 전자총 | Schottky형 전자총 |
가속전압 | 0.1~30 kV | |
Image Shift |
±75 µm이상 (1.0 kV, WD=5 mm) |
|
EBAC Amp / 화상 표시 |
Amp 종류 | Current Amp / Differential Amp / DI Amp |
화상 표시 | SEM Image / EBAC Image | |
단독 / 병렬 / 결합 표시 | ||
화상 처리 | 흑백 반전 표시, 컬러 표시 기능, 밝기 조정, Slow Scan integration, Belt Scan |
This journal addresses a wide range variety of research papers and useful application data using Hitachi science instruments.