マイクロサンプリング® システム
特長
マイクロサンプリング®ユニットとFIBマイクロサンプリング法
FIBマイクロピラーサンプリング例
半導体デバイスのバルク試料から、解析箇所を含むマイクロサンプルを直接摘出し、ピラー（柱）状に加工しました。
集束イオンビームの走査形状を変更することで、試料を任意のサイズで摘出し、さまざまな形状に加工することができます。
* 「マイクロサンプリング」は、日本国内における登録商標です
システム構成例
FIB-STEMシステム
FB2200、あるいはNB5000を、透過能力の高い走査透過電子顕微鏡（HD-2700、加速電圧：200kV）と組み合わせることで、半導体デバイスの不良解析や各種先端材料のナノ構造解析を短時間で行うことが可能です。
観察例
マイクロサンプリング®の歴史
| 1991年 | 日立製作所中央研究所にて、FIBによる半導体レーザー素子のTEM試料作製に成功 |
|---|---|
| J. Szot, R. Hornsey, T. Ohnishi and S. Minagawa J.Vac.Sci.Technol. B10, 575 | |
| 1994年 | 集束イオンビーム加工観察装置FB-2000発売。FIB/TEM共用ホルダを搭載（世界初） |
| T. Ishitani, H. Tsuboi, T. Yaguchi and H. Koike J. Electron Microsc 43, 322, 他 | |
| 1996年 | FB-2000A発売 |
| 1999年 | TEM試料作製前処理装置「マイクロサンプリング®システム」を発売（世界初） |
| 2001年 | 「電子顕微鏡用マイクロサンプリング技術の開発」で第21回精密工学会技術賞受賞 |
| 2002年 | 40kV集束イオンビーム加工観察装置FB-2100発売 |
| 2007年 | 新形マイクロサンプリング®システム搭載集束イオン/電子ビーム加工観察装置NB5000発売 |
知的財産権
「マイクロサンプリング」は、株式会社日立ハイテクの日本国内における登録商標です。
| 商標 | 登録商標第4399203号 |
|---|
トピックス
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