欠陥形状評価SEM CT1000
欠陥及びパターン形状の3D観察で G&Cデバイス*1の開発TAT短縮と品質向上に貢献
Φ200 mm以下のウェーハを自動搬送した後、クリティカルなパターン位置や欠陥検査装置で検出された欠陥位置へ正確に移動し、試料ステージ傾斜機能を活用して三次元的なSEM観察を行うことができます。
さらに、観察対象に対して元素分析機能（EDS：Energy Dispersive-X-ray Spectrometer）*2による構成元素の推定を可能にしました。
*1） G&Cデバイス:グリーン＆コミュニケーションデバイスの略語。具体的には、Φ100/125/150/200 mmのウェーハで生産される電子デバイス及び電子部品。（例：SAW/BAW、MEMS及びセンサー、パワー及びアナログデバイス等）
*2） オプション
* シグナルタワーはオプションです
取扱会社：株式会社 日立ハイテク
特長
- 5軸試料ステージ採用により欠陥及びパターン形状の傾斜観察が可能
- 元素分析機能(EDS)*を搭載する事で異物や欠陥の構成元素の推定が可能
- Φ100 mm, Φ150 mm, Φ200 mmウェーハサンプルに対応
* オプション
仕様
| 分解能 | 7 nm@1 kV |
|---|---|
| 試料最大傾斜角 | 55° |
| 観察視野サイズ | 0.675～135 µm |
| 元素分析(オプション) | エネルギー分散型X線分光器 |
高分解能FEB測長装置 CS4800
CS4800は 4、6、8インチのウェーハサイズに対応した測長SEMです。
ミラー電子式検査装置 Mirelis VM1000
ミラー電子式検査装置
Mirelis VM1000は、SiCバルクウェーハの加工ダメージ、エピタキシャルウェーハの積層欠陥や基底面転位といった結晶欠陥を非破壊で検査します。
