FIB-SEM三束系统 NX2000
特点
运用高对比度,实时SEM观察和加工终点检测功能,可制备厚度小于20 nm的超薄样品
FIB加工时的实时SEM观察*2例
样品:NAND闪存
加速电压:1 kV
FOV:0.6 µm
加工方向控制技术(Micro-sampling®*3系统(选配)+高精度/高速样品台*)对于抑制窗帘效应的产生,以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。
Triple Beam®*1(选配)可提高加工效率,并能使消除FIB损伤自动化
EB:Electron Beam(电子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦离子束)
Ar:Ar ion beam(Ar离子束)
规格
项目 | 内容 |
---|---|
FIB镜筒 | |
分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
加速电压 | 0.5~30 kV |
束流 | 0.05 pA ~ 100 nA |
FE-SEM镜筒 | |
分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
加速电压 | 0.5~30 kV |
电子枪 | 冷场场发射型 |
探测器 | |
標準検出器 | In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器 |
样品台 | X:0 ~ 205 mm Y:0 ~ 205 mm Z:0 ~ 10 mm R:0 ~ 360°连续 T:-5 ~ 60° |
选购件
- Ar/Xe离子束系统
- Micro-sampling®*3系统
- 缺陷检测设备联用软件
- CAD联用导航软件
- EDS(能谱仪)
- TEM样品精加工向导
- TEM样品厚度管理软件
- 连续A-TEM
- 实时画质优化系统
- Swing加工功能(用于Triple Beam®*1)
- 等离子清洗机
- 真空转移机构
- 冷台
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