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パワーモジュール動特性測定装置

パワーモジュール動特性測定装置
  • パワーモジュール（IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）等）の動特性を測定します。
  • 1台でスイッチングタイム、VCE（SUS）、負荷短絡測定を実現します
  • 低インダクタンス切替器を内蔵しております。
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特徴

  1. 検査（測定）対象：IGBT、IPM、P-MOS FET、SiC、GaN、Diode等
  2. 検査装置特徴：超低Ls（ストレーインダクタンス）を実現
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IGBT L負荷スイッチング試験回路
IGBT L負荷スイッチング試験回路
スイッチング試験のターンオン波形実測結果に基づきLs算出
スイッチング試験のターンオン波形実測結果に基づきLs算出

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