パワーモジュール過渡熱抵抗測定装置
特長
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BJT (Bipolar Junction Transistor)過渡熱抵抗測定装置
トランジスターのベース・エミッター間に微少電流を流し、その時のベース・エミッター間電圧を計り、その後、コレクター・エミッター間に電力を印加し、ジャンクション温度を上昇させ、電力切断後再びベース・エミッター間に微少電流を流し、ベース・エミッター間電圧を計り、その差を求める測定装置です。 -
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）過渡熱抵抗測定器
BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・エミッター間の電圧差を求める測定装置です。 -
P-MOS FET過渡熱抵抗測定器
BJT過渡熱抵抗測定器と同じタイミングでゲート・ソース間の電圧差を求める測定装置です。 - ダイオードのΔVFを測定することができます。
主な装置仕様
| Model No. | 2082B | 2083 | 2085 | 2086 |
|---|---|---|---|---|
| 測定条件 | VCB 2～199V IE 0.1～29.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5,10mS 20,50,100, 200mS 500, 1000mS |
VCB 2～599V IE 0.1～249.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
VCB 2～599V IE 0.1～500.0A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
VCB 2～99V IE 0.1～99.9A IM 1～199mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2,5S,DC |
| 測定範囲 | ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V ΔVGS 10mV～9.99V VGS (max) 20V |
ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
ΔVBE 1～1999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
| サンプリング点 | Td 50～990µS | Td 50～990µS | Td 50～990µS | Td 50～990µS |
| 最大バイアス印加条件 | ・PW 1mS時 VCB 199V IE 29.9A ・PW 1S時 VCB 20V IE 20.0A |
・PW 100µS時 VCB 599V IE 250A ・PW 2S時 VCB 20V IE 50A |
・PW 100µS時 VCB 599V IE 500A ・PW 2S時 VCB 20V IE 100A |
・PW 100µS時 VCB 99V IE 99.9A ・PW DC時 VCB 10V IE 50A |
| 試料極性 | Nch/Pch NPN/PNP |
NPN | NPN | NPN |
| 電源 | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC200V ±10% 50/60Hz 1Φ |
| 外形寸法[mm] | W670 D750 H1400 |
W820 D1350 H1700 |
W820 D1350 H1700 |
W670 D750 H1400 |
| Model No. | 2087 | 2185 | 2186 |
|---|---|---|---|
| 測定条件 | VCB 2～1200V IE 0.1～999.9A IM 1～999mA 精度±1% PW 0.1～99.9mS 1～999mS 0.01～9.99S 0.1～99.9S 1～999S |
VCE 5～99V IE 1～399A IM 1～99mA 精度±1% PW 1,2,5, 10mS 20,50, 100,mS 200,500mS 1,2,5,10S |
VCE 10～1200V IE 0.1～99.9A IM 1～99mA 精度±1% PW 100,200, 500µS 1,2,5,10, 50mS 100,200, 500mS 1,2S |
| 測定範囲 | ΔVBE 1～999mV VBE (max) 3V 精度±1% |
ΔVGE 5～1999mV VGE (max) 20V 精度±1% |
ΔVGE 10～999mV VGE (max) 20V 精度±1% |
| サンプリング点 | Td 50～990µS | Td 50～990µS | Td 50～990µS |
| 最大バイアス印加条件 | ・PW 100µS時 VCB 1200V IE 1000A ・PW 2S時 VCB 20V IE 200A |
・PW 1mS時 VCE 99V IE 399A ・PW 2S時 VCE 20V IE 100A |
・PW 100µS時 VCE 1200V IE 99.9A ・PW 2S時 VCE 20V IE 50A |
| 試料極性 | NPN | Nch NPN |
Nch NPN |
| 電源 | AC100V ±10% 50/60Hz 1Φ |
AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ |
AC200V ±5% 50/60Hz 1Φ |
| 外形寸法[mm] | W1600 D2000 H1600 |
W1520 D2100 H1750 |
W800 D1600 H2000 |
