イオンミリング装置 ArBlade® 5000
特長
断面ミリングレート1 mm/h*1到達!
イオンビームのさらなる高電流密度化を図った新開発のPLUSIIイオンガンによりミリングレートが大幅に向上*2しました。
*1 マスクエッジからSiを100 μm突出させて1時間加工した際の最大深さ。
*2 当社製品(IM4000PLUS:2014製)比で2倍のミリングレートを実現。
断面ミリング結果比較
(試料:シャープペンシルの芯、ミリング時間:1.5時間)
最大断面ミリング幅 10 mmまで拡張!
ワイドエリア断面ミリングホルダにより断面ミリング加工幅を10 mmまで拡張できるので、広領域ミリングが必要とされる電子部品などには有効です。
ハイブリッドタイプのミリング装置
IM4000シリーズで定評のあるハイブリッドタイプ(断面ミリング、フラットミリング®)のイオンミリング装置です。
これにより目的に応じた試料前処理が可能です。
* フラットミリング®は、日本国内における株式会社日立ハイテクの登録商標です。
断面ミリング
割断や機械研磨では困難な柔らかい材料や複合材料の断面作製
フラットミリング
機械研磨試料の最終仕上げや試料表面の清浄化
製品紹介プレゼンテーション
プレゼンテーションをWEBセミナー形式でご覧いただけます。
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SEM観察で最も重要な前処理手法の最新技術をご紹介します。粗加工から仕上げまでの自動化や多領域連続自動加工までをカバーするイオンミリング装置とそれを用いた前処理のコツを紹介します。
オプション
冷却温度調整機能*1
イオンビーム照射による試料の温度上昇が原因で、加工中に融解や変形する試料に有効なシステムです。過冷却による試料の割れなどを生じる試料には、冷却温度の調整機能によって、過冷却による試料の割れなどを防止することも可能です。
*1 冷却温度調整機能はArBlade5000本体と同時出荷オプションです。
試料:ウッド合金
加工時観察用実体顕微鏡
最大100倍でミリング中の試料を観察できる実体顕微鏡です。
CCDカメラ*2が搭載できる三眼タイプではモニター観察が可能です。
右図の三眼タイプの他に双眼タイプも準備しています。
*2 CCDカメラおよびモニターはお客さま準備品です。
技術情報
仕様
共通 | |
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使用ガス | Ar(アルゴン)ガス |
加速電圧 | 0~8 kV |
断面ミリング | |
最大ミリングレート(材料Si) | 1 mm/h*1 以上 |
ビーム照射範囲 | 10 mm*2 |
最大試料サイズ | 20(W) × 12(D) × 7(H) mm |
試料移動範囲 | X ±7 mm、Y 0~+3 mm |
イオンビーム間欠照射機能 | 標準装備 |
スイング角度 | ±15°、±30°、±40° |
平面ミリング | |
最大加工範囲 | φ32 mm |
最大試料サイズ | φ50 × 25(H) mm |
イオンビーム偏心量 | X 0~+5 mm |
イオンビーム間欠照射機能 | 標準装備 |
回転速度 | 1 rpm, 25 rpm |
傾斜角度 | 0~90° |
*1 マスクエッジからSiを100 µm突出させて1時間加工した際の最大深さ。
*2 広域断面ミリング機能使用時。
オプション
項目 | 内容 |
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冷却温度調整機能*3 | 液体窒素による間接試料冷却、温度設定範囲:0°C~-100°C |
高ビーム耐性マスク(Co-Zero®)*4 | 標準マスク比で約2倍のビーム耐性マスク(コバルト不含有) |
加工モニタリング用顕微鏡 | 倍率 15×~100× 2眼タイプ、3眼タイプ(CCD対応) |
*3 本体同時出荷オプション。
*4 Co-Zero®は日本国内における株式会社 日立ハイテクの登録商標です。
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