고성능 집속 이온 빔(FIB) 장비 MI4050

신형 광학계 탑재로 세계 최고 수준의 SIM Image 분해능・대전류 대응에 따른 가공 스피드 향상・저가속 전압 관찰 시의 분해능 향상으로 더욱 품질 높은 TEM 시료 제작을 실현한 고성능 집속 이온 빔 (FIB) 장비입니다.
단면 가공 관찰, 고품질 TEM 시료 제작, 회로 수정, 벡터 스캔 가공, Micron~Nano 수준의 미세 Patterning 및 나노 금형 가공, Deposition을 통한 3차원 구조물의 제작 등 다종・다양한 샘플과 Application을 실현합니다.

특징 사양 특별 부속품 (옵션)

특징

최대 Probe 전류 90 nA에 의한 가공 고속화와 대면적 가공을 실현

Wire Bonding의 단면 가공
(가공 크기 폭: 95 µm 깊이: 55 µm 가공 시간 20분)

극저가속전압 (0.5 kV~) 가공 및 저가속전압 시의 2차전자 Image 분해능 향상을 통해 더욱 Low Damage TEM 시료 제작 가능

* 1 kV 이하는 옵션

2차전자 Image 분해능 4 nm@30 kV를 통한 고분해능 SIM Image 관찰 가능

알루미늄 캔의 단면 SIM Image

높은 정밀도의 5축 전동 Mechanical Eucentric Stage 채용

Stage 이동(및 Tilt)을 동반한 복수 위치의 다양한 가공이 자동 운전으로 가능합니다.

뛰어난 조작성과 풍부한 가공 모드

단면 제작 프로그램 가공
TEM/STEM 시료 프로그램 가공
연속 자동 가공
연속 TEM 시료 자동 완성 가공 소프트웨어
Bitmap 가공
벡터 스캔 가공
3D 나노 정밀 구조물 제작 외 기타

SIM Image의 3D 재구축 해석

동일 간격의 슬라이스 단면 가공과 관찰을 반복하여 여러 장의 단면 SIM Image를 취득 후 재구축할 수 있습니다. 복합 입자 분산 상태나 빈 공간과 같은 3차원 정보를 가시화하는 경우 등에 유용합니다.

멀티 가스 공급 시스템 (MGS-II) 를 사용한 회로 수정

보호막 재료, 배선 재료, 절연막, 증속 Etching 등 다양한 용도에 맞추어 여러 가지 가스를 조사(照射)할 수 있는 시스템입니다.

텅스텐 Deposition 가스
Platinum Deposition 가스
절연막 생성용 Deposition 가스
XeF₂ Etching 가스
유기계 Etching 가스
카본 Deposition 가스

XeF₂ 가스를 사용한 High Aspect Hole 가공 및 텅스텐 Deposition을 통한 패드 적출

풍부한 좌표 Linkage 기능

히타치 하이테크 사이언스 독자의 풍부한 좌표 Linkage 기능을 통해, 가공 위치를 정확히 지정할 수 있으며, 큰 폭으로 시간을 단축할 수 있습니다.

광학현미경 Image와 SIM Image의 Linkage
더블 커서 기능
일본 특허 제 4634134호 미국 특허 제 7595488호
결함 검사 장비와의 좌표 Linkage
절단된 Wafer나 Chip에서도 결함검사장비와의 좌표 Linkage가 가능합니다.
CAD Navigation 시스템과의 Linkage

사양

항목	내용
시료 크기	50 mm×50 mm×12 mm (t) 이하
시료 Stage	5축 전동 Eucentric Stage
가속 전압	1~30 kV (0.5 kV~ 옵션) (0.5~1.0 kV: 0.1 kV Step에서 변경 가능) (1.0~2.0 kV: 0.2 kV Step에서 변경 가능)
2차전자 관찰 Image 분해능	4 nm@30 kV
최대 Probe 전류	90 nA
최대 Probe 전류 밀도	50 A/cm²