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Siウェハ表面処理前後での表面観察と粗さ評価

Siウェハ表面処理前後での表面観察と粗さ評価
ジャンル 半導体・エレクトロニクス, 無機材料
モード DFM
測定領域 1µm
ステーション NanoNaviⅡ
装置 Nanocute

解説

Siウェハ表面(化学エッチング処理後)
(a)
Siウェハ表面(化学エッチング処理後)
(b)
測定値
(c)

Fig.1 Siウェハ表面(化学エッチング処理後)

Siウェハ表面(化学エッチング処理前)
(a)
Siウェハ表面(化学エッチング処理後)
(b)
測定値
(c)

Fig.2 Siウェハ表面(化学エッチング処理前)

SPMは非常に鋭利な先端の探針を使用しているためナノレベルの凹凸での高精度な表面粗さ評価が可能です。

ここでは、化学エッチング処理前後におけるSiウェハ表面凹凸観察と粗さ評価の結果についてご紹介します。

Fig.1,2は、化学エッチング処理前後でのSiウエハ表面のDFM形状像(a)、断面プロファイル(b)、JISB0601に準拠した粗さパラメータ(c)です。化学エッチング処理前の表面粗さは0.092nmであるのに対し、処理前の表面粗さは6.0nmと桁違いに大きくなっています。

近年、ナノスケールにおける表面粗さのJIS規格が制定されましたが、この事例のように、ナノレベルの平滑面を品質管理するのに最適です。日立ハイテクサイエンスでは、いち早くこの手法をシステムに組み込んでいます。

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