1993年度作品「電顕内で作ったSiC結晶」
グラファイトとSiの混合粉体を1,500℃に加熱し、Siとグラファイトを反応させ、SiCの結晶を成長させた。 写真は、その反応の観察例である。左が反応前、右が反応後、1,500℃で撮影した透過像である。 グラファイト(002)面(d = 0.335 nm)上にSiC(006)面(d = 0.252 nm)が成長している。
1993年(第49回)日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 出展作品
撮影条件
- 試料:グラファイトとSiの混合粉体
- 測定装置:電子顕微鏡 H-9000NAR
- 撮影倍率:300,000倍
- 加速電圧:300 kV
*: 作成者の所属情報は作成当時の情報です。
*: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
*: 「nanoart」に掲載された写真、文章の無断転載を禁じます。
*: 「nanoart」は(株)日立ハイテクの日本国内における登録商標です。