2002年度作品「星の紋章」
©（株）日立ハイテク 大塚久史
これは、Si [111] の晶帯軸入射の大角度収束電子回折（Large Angle Convergent Beam Electron Diffraction：LACBED）パターンです。
収束された電子線によって、Si結晶を構成する原子の配列から美しい対照性をもった幾何学パターンが生まれます。それは、多くの結晶学的情報を含んだ紋章と言えるのではないでしょうか？
2002年（第58回）日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 出展作品
撮影条件
- 試料：Si単結晶薄膜
- 測定装置：電子顕微鏡 H-9000NAR
- 加速電圧：200 kV
*: 作成者の所属情報は作成当時の情報です。
*: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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