2001年度作品「Micro-hat」
64M DRAMを割断し、メタル配線を加速電圧200 kVのSEMで観察したもの。
立体的に割断されたメタル配線が周囲のSiO2から浮かび上がり、TiNのリボンをつけたW帽子のように見えます。
2001年(第57回)日本電子顕微鏡学会
写真コンクール 出展作品
撮影条件
- 試料:64M DRAM
- 測定装置:超薄膜評価装置 HD-2000
- 撮影倍率:100,000倍
- 加速電圧:200 kV
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*: この作品は日本顕微鏡学会主催、「写真コンクール」に出展された作品です。
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